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Sundewtech

Sundew提供批量制造并有着良好成本效益比的ALD解决方案。公司在ALD硬件,工艺和部件的突破性发明带来了生产效率的提高和出色的产品性能。

为什么选择Sundew的产品?

从纳米级薄膜到普通薄膜,Sundew的ALD在不对薄膜质量做出妥协的前提下,为生产提供了出色的速度和无故障运行时间。

产品系列:

  • Revolution:针对自动晶圆生产系统
  • Glider: 针对工业级镀膜设备
  • Developer: 针对研发科研客户


Revolution

The Revolution system product line sets new benchmarks in productivity and cost effectiveness. Designed for high volume wafer-based production, our Semi-S2 certified Revolution systems integrate the high productivity of SMFD-ALD™ with a revolutionary simple substrate handling. The result is a flexible, modular system that can be easily configured to our customers needs.
Revolution系统的产品在生产效率和成本效益方面建立了新的基准。针对高批量基于晶圆的生产而开发设计。我们的Semi-S2认证的Revolution系统在高生产效率的SMFD-ALD™上集成了创新的基板装卸。这套灵活的模块化系统可以比较简便地进行配置以满足客户的要求。
The Revolution system incorporates many patented and patent-pending innovations that deliver un-paralleled capabilities and productivity at the lowest cost of ownership.
Revolution系统的产品包含了多项专利创新,提供了高性能和高效的生产率以及较低的运行成本。

Features and Benefits
产品特性和优点

  • High throughput per substrate
  • 基板的高生产能力
  • Low Maintenance with up time matching and exceeding legacy CVD equipment
  • 低维护成本,高效正常运行时间。匹配并超越传统CVD设备
  • Low consumables cost- up to 90% precursor utilization efficiency
  • 低消耗成本- 高达90%的前驱材料利用效率
  • Semi S2 and UTL certified.
  • Semi S2和UTL认证
  • Integrated sub-atmospheric abatement for Zero-Waste process and long pump lifetime
  • 集成的零浪费工艺低压消除和长期的泵使用寿命
  • Patented long lifetime ALD valves with over 100 million trouble-free cycles
  • 专利保护的长寿命ALD阀门,超过1亿次无故障运行周期
  • Integrated millisecond response ALD valves manifold for composite films deposition with no throughput penalty
  • 集成了毫秒级反应速度的ALD阀门,适用各种复合薄膜沉积并没有产量损失
  • Flexible and scalable system configuration
  • 灵活并可扩展的系统配置
  • Low cost of ownership with over 75% cost savings in most applications
  • 低运行成本,多数应用可节约高达75%的成本
  • Small equipment footprint
  • 较小的设备空间占用

Capabilities
性能

  • Thick film deposition ( >5 micron)
  • 厚膜沉积( >5 micron)
  • Short ALD cycle times (0.4-1 sec)
  • 较短的ALD节拍(0.4-1 sec)
  • Low temperature processing (down to 80 °C)
  • 低温工艺(down to 80 °C)
  • 100% conformal films over any substrate topology
  • 在各种基板结构上100% 共形膜
  • Seamless incorporation of nano-laminates with reproducible atomic-layer control
  • 纳米层的无缝结合,可重复的原子层控制
  • Composite ternary and quaternary alloy films with no throughput penalty
  • 三元复合和四元合金薄膜,没有产量损失

Glider

The Glider line is specifically designed for industrial applications requiring high quality pin-hole free deposition on large area parts and substrates. Its flexible and scalable design allows for easy customization of chamber configuration to suit our customers needs.
Glider产品系列是针对工业应用所要求的在大面积部件和基板上进行高质量无针孔沉积而设计。
Glider SMFD-ALD™ systems provide breakthrough capabilities such as high throughput ALD at low temperature deposition, fast, high quality and low-stress thick films deposition up to about 12 microns, efficient chemical use and high productivity.
Glider SMFD-ALD™系统提供突破性的性能,例如在低温沉积的高产出ALD,快速,高质量和低应力的高至12微米的薄膜沉积,有效的化学应用和高生产率。
Our current Glider systems include three different models that cover a large range of process space volume, from 1.5-80 liter. The G1000-P accommodates panels coating up to a maximum size of 1000×1000 mm. In addition, custom Glider systems are made per customer specifications to accommodate any size and shape.
我们现有的Glider系统包括了三种不同的模式,涵盖了很大的工艺空间体积,从1.5到80 升。
G1000-P适用于最大尺寸1000×1000 mm的基板镀膜。此外定制化的Glider系统可以根据客户的参数要求定制,以适应客户要求的尺寸和形状。

Features and Benefits
产品特性和优点

  • High throughput per substrate
  • 每基片高吞吐量
  • Low Maintenance with up time matching and exceeding legacy CVD and PVD equipment
  • 低维护成本,高效无故障运行时间。匹配并超越传统CVD和PVD设备
  • Low consumables cost- up to 90% chemical utilization efficiency
  • 低运行成本,可高达90%的化学利用效率
  • ETL Certified
  • ETL认证
  • Sub-atmospheric abatement for ‘Zero Waste’ process
  • 用于零浪费工艺的亚大气消除
  • Flexible and scalable system configuration
  • 灵活并可扩展的系统配置
  • Fully interlocked for safety and zero-emission
  • 为安全和零释放设计的完全互锁
  • Small footprint
  • 较小的设备占用空间
  • Low cost of ownership
  • 低运行成本

Capabilities
性能

  • Thick film deposition ( up to 12 micron)
  • 厚膜沉积(高达12微米)
  • Fast ALD deposition at low temperatures
  • 低温快速ALD沉积
  • Low temperature processing (down to 70 °C)
  • 低温工艺(down to 70 °C)
  • 100% conformal films over any substrate topology
  • 在各种基板结构上100% 共形膜
  • Seamless incorporation of nano-laminates with reproducible atomic-layer control
  • 纳米层的无缝结合,可重复的原子层控制
  • Composite ternary and quaternary alloy films with no throughput penalty
  • 三元复合和四元合金薄膜,没有产量损失

Developer

专为研发需求而设计,Developer结合了我们全自动化ALD晶圆线Revolution的系统部件和生产性设计,我们工业ALD镀膜线Glider的简单和灵活性,为科研客户提供了无与伦比的性能,灵活性、稳定性和安全性。Developer可以做现场升级以符合科学家或者工程人员不停变化的需求。它的设计同时也考虑到了到Glider和Revolution系统的无缝过渡。

绩效:Developer是仅有的提供了与大规模生产相媲美的快速沉积的ALD研发工具。结合Sundew的专利SMFD-ALDTM,使得我们能在符合大多数研发预算的低成本系统中提供了新的高效生产能力。亚秒级ALD节拍允许厚膜应用的高效快速的探讨。专有的源和进程使新的应用程序具有前所未有的可重复性和控制。结合集成的用于更精细的工艺的探索和优化,最好的成长细节的QCM,对薄膜的生长监控优于单层分辨率5%。Developer允许你释放原子层沉积的全部潜力。

性能:凭借其无与伦比的,非常高的化学利用效率,Developer非常适合于新型ALD前驱体的探索。在初始阶段,ALD前驱体通常是非常昂贵的(1000美元/克不是什么不正常的),并且可供量非常小。从Sundew turnkey 流程您可以大大受益于其成熟的高生产率的ALD工艺包括HfO2, ZrO2, Ta2O5 SiO2, <300  C TiN, BN, GaN, Nb3N5 等等。包括具有挑战性的图形化衬底等先进一代DRAM晶圆设备、膜、传感器、电子倍增器、等高达1000 x增强区。

配置:Developer可提供3种晶片尺寸配置和用于通用零件和/或高达300,300,10毫米基板的第四配置。通过灵活的现场可升级选项,所有的配置可以在现场改装。

ALD歧管:Developer结合了我们标准的毫秒响应ALD歧管,集成了10个我们专利的快速气动阀(FPV),提供超过1亿次复合材料和纳米复合ALD薄膜应用无故障运行周期。这是唯一的可以切换组合每个节拍而没有任何产能损失的ALD歧管。经过自2005年以来的现场验证,我们的FPV阀在速度,可靠性,寿命和安全性等方面都创造了记录,所有都在温度高达220摄氏度情况下执行。Sundew的ALD阀门是目前市场上仅有的双重遏制,无外溢的UHP阀门。

源:所有Developer系统都提供有效并良好控制的蒸汽输送,从专有,创新的气体,液体和固体源,以及液化或溶解的前体和压力控制的臭氧。其它专有的和创新的按需求而定制的源用于安全地控制和输送极短寿命或高度活性反应的反应物。

产品特性和优点:

  • 高效率:12-20 nm/min
  • 低维护成本,超过累计50微米薄膜的平均维护间隔时间
  • 低消耗品成本,高达90%的前体的利用效率
  • 灵活,现场可升级和可扩展的系统配置
  • 完全互锁的故障-安全运行
  • 优于1%的晶圆内和晶圆间的一致性形态
  • 专有ALD阀门,小于1毫秒的速度,超过100百万循环的使用寿命。化学品泄漏保护,双重遏制带来无与伦比的安全性
  • 用于复合薄膜沉积集成的ALD阀门歧管,没有生产效率损失
  • 双层阻燃柜用于易燃化学物的充足的安全存储(标准3位,可选更多位)
  • 完全集成的,数量不受限制的化学源和挥发和不挥发前体化学输送管道。
  • 注重生产环境中的可靠性和安全性的工业PLC控制
  • 用户友好的灵活的图形用户界面
  • 减少废气排放
  • 可选的零废物模块
  • 可选load-Lock
  • 可选的集成QCM薄膜生长实时监控
  • 可选的远程等离子体源

产品编号

技术参数

最大基板尺寸(mm)
D100-W (直径) 100
D150-W (直径) 150
D200-W (直径) 200
D300-W (宽X深X高) 300x300x10
工艺腔体数 1
Load-Lock腔体数 (可选项)1
Load-Lock腔体配置 单片wafer
工艺温度范围 75-400
(更高温度可选)
ALD歧管最高温度 220摄氏度
(310摄氏度可选)
外形尺寸(宽X深X高) (cm) 75x140x170
重量(公斤) 575
金属源最大数量 不限
非金属源最大数量 不限
最大流量(sccm) 5000
基底压力 mtorr 5
控制 NI cFP
用户界面 GUI图形用户界面
电源 3相 208AC 30A
Idle空闲用电 (加热器开)w 6000
压力空气 (psi) 80
最大空气流量(CFM) 0.70

In-Situ QCM,用于生长监控

一个QCM的传感器集成到Developer的硅片夹,以便于实现单层质量分辨率优于5%和10毫秒时间的分辨率来对ALD工艺进行快速和详细的研究。这个有力的普遍使用的选项可以用于ALD工艺的优化,以及详细的化学机理研究,反应步骤动力学和物理研究,表面种类的时间和温度稳定性研究,以及ALD前体反应性和热稳定性研究。 Sundew的专有温度稳定传感器还能够监测表面清洗工艺,表面氮化和氧化,氧化金属膜进入纯金属的还原,氧化率和氧化动力学,致密化,硅化成型,退火效应,前体升华速率,脱氯等等。

应用

  • ALD工艺的研发
  • 应用和驱动的研发
  • ALD前体开发
  • 高K电介质
  • MIM电容
  • ALD-Cap
  • 沟槽隔离
  • 耐磨涂层
  • 格栅,晶种和金属化
  • 浮栅介质
  • GMAR间隙介质
  • 隧穿设备
  • 铁电设备
  • 传感器
  • MEMS和NEMS结构和牺牲层
  • 蚀刻阻挡层
  • 接口和粘结层
  • 防腐蚀保护